"Vnitřní paměti a jejich rozdělení
Vnitřní paměti lze dělit z mnoha různých hledisek, z nichž nejužívanější jsou kritéria:
- přístup k buňkám paměti
- možnost změny dat (zápisu)
- princip realizace paměťové buňky
- technologie
- organizace paměti

Přístup k buňkám paměti.
Z hlediska přístupu k buňkám paměti při čtení nebo zápisu se dělí na:
- Paměti s libovolným přístupem (RAM - Random Access Memory).
- Paměti se sériovým přístupem (Seriál Access Memory).
- Paměti se speciálním přístupem k paměťové buňce, které se realizují z pamět

RAM doplněných speciální logikou. Jsou to zejména:
- paměti adresované obsahem - CAM (Content Addressable Memory),
- paměti typu zásobník nebo sklípková paměť nebo LIFO (Last In First Out).

Princip realizace paměťové buňky.
Možnosti rozdělení jsou rozsáhlé, proto se omezíme na:
- Paměti statické, ve kterých je paměťová buňka tvořena bistabilním klopným obvodem - -- Paměti dynamické, u kterých je hlavním nositelem paměťové vlastnosti parazitní
kapacita. Touto kapacitou je obvykle kapacita řídící elektrody tranzistoru MOSFET, ale vzhledem ke svodům je třeba periodicky obnovovat elektrický náboj speciálními obvody - tzv. refresh.

Technologie.
Paměti se dělí podle technologie na paměti feritové a polovodičové. Technologie používané pro polovodičové paměti se dělí na:
- bipolární
- unipolární

Bipolární technologie.
Dělí se dále na technologii:
- TTL,
- ECL.

Technologie TTL.
Jsou to technologie TTL, STTL, LSTTL, ALSTTL. Technologie TTL je nejstarší a požívala se díky jedinému napájení, vysokému logickému zisku a rychlosti. Touto technologií byly realizovány paměti s integrací MSI (16 a 64 bitů). Další uvedené varianty jsou též technologie TTL a s nimi se podařilo dosáhnout příznivějšího poměru mezi rychlostí a potřebným příkonem pamětí. Stalo se tak použitím tranzistorů a antisaturačními Schottkyho diodami a lepších technologických postupů.

Technologie ECL.
Rychlé paměti malé integrace lze realizovat technologií ECL (Emitor Coupled Logic). U těchto obvodů je zpoždění signálu jen 1 až 3 ns, protože emitorově vázáné tranzistory pracují výhradně v aktivní oblasti. Přístupová doba je 5 až 10 ns. Jsou ale potřebná dvě napájecí napětí. Navíc tyto obvody nejsou slučitelné s obvody TTL."

Práce obsahuje tabulku.

PRÁCE BYLA UVOLNĚNA BEZ NÁROKU NA HONORÁŘ