"PŘÍPRAVA NANOMATERIÁLŮ- vyžaduje individuální přístup k jednotlivým typům a finálním podobám materiálů
-bývá zohledňována funkčnost, vlastnosti a použití vzniklého materiálu
-ANALYTICKÉ METODY NANOMATERIÁLŮ-STM= skenovací tunelová mikroskopie
-AFM=mikroskopie atomárních sil
-TEM= transmisní elektronová mikroskopie
-SEM= skenovací elektronová mikroskopie
-RBS= Rutherfordův zpětný rozptyl
-SIMS-hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů
-XPS= rentgenová fotoeletronová spektroskopie
TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY –často spojována s přípravou polovodičových nanostruktur
-základem je křemíková deska, na jejíž povrch jsou nanášeny vrstvy rozdílných typů
LITOGRAFIE-NANOLITOGRAFIE
-finančně nenáročná
- metoda hromadného chemicko-fyzikálního zpracování substrátu
-UMOŽŇUJE- připravovat horizontálně členěné nanostrutury
-4 ZÁKLADNÍ METODY- 1)fotolitografie
2)EUV litografie, RTG litografie
3) elektronová litografie- nanolitografie
4) iontová projekční litografie
5) reaktivní iontové leptání
-OBLAST POUŽITÍ-tam kde je potřeba zpracovat část povrchu- klidně i dost složitou
-TECHNOLOGICKÝ POSTUP- 1) na povrch substrátu (po jeho případné úpravě) je nanesena tenká vrstva rezistu, což je chemická substance, která má citlivost na určitý podnět takového druhu, že se změní její rozpustnost v určitém rozpouštědle. Může být např. citlivá na světlo nebo elektrony, které v místě dopadu vytvoří nový typ vazby.
2) rezist je ozářen v místech, která nemají být odstraněna . ozáření je většinou provedeno z plošného zdroje přes stínící masku, ale může být použito i rastrovací zařízení s bodovým zdrojem
3) Na rezist je nanesena vrstva leptadla, které působí jen na neozářená místa. Zde je důležité aby leptadlo leptalo hl. směrem dolů, jinak by se leptala i ozářená místa, a aby nepůsobilo na původní povrch
4) vytvoření nepropustné zbylé vrstvy rezistu vyleptáním původního povrchu nebo nanesením nové vrstvy
5) odstranění ozářeného rezistu a omytí povrchu"

Práce obsahuje malý obrázek.

PRÁCE BYLA UVOLNĚNA BEZ NÁROKU NA HONORÁŘ